根据会议纪要中的预测，美联储9月将首次降息，今年晚些时候至少还会再降息一次，明年将进一步放松货币政策。与会者们一致认为，美国的经济活动继续稳步增长，就业增长有所放缓，失业率有所上升但仍处于低位，通货膨胀在过去一年有所缓解，但仍处于高位。此外，与会者们认为，近几个月来，美国在实现2%通胀目标方面取得了一些进展，实现就业和通胀目标的风险继续趋于平衡，但是经济前景尚不确定。(央视记者 刘旭)

最近在北卡罗来纳州阿什维尔举行的一次集会上，特朗普还曾特意把贝森特叫上了舞台，称他是“华尔街最杰出的人之一”。

　　三星和SK海力士在EUV光刻技术领域分道扬镳

　　三星专注于提高良率，而SK海力士则专注于长期技术进步。

　　韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。

　　作为年终组织重组的一部分，三星电子在全球制造和基础设施总部下成立了一个新的工作组（TF），名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提高超精细半导体制造（例如 3 纳米 （nm） 代工厂）良率的努力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 设备管理，重点是提高光刻和跟踪设备的生产率。该团队的目标是最大限度地提高EUV光刻设备中使用的各种材料和组件的生产率，其中包括ASML独家供应的价值200亿美元的光刻机和东京电子的EUV轨道设备。

　　三星对 EUV 技术的承诺体现在其对 EUV 光刻机的大量投资。该公司已在其华城和平泽工厂购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上，对于生产更小、更复杂的半导体电路至关重要。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺，此后在提高其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工厂的良率方面面临挑战。

　　相比之下，SK海力士则采取了不同的做法。该公司在今年的组织重组中解散了EUV TF，并将其并入未来技术研究院。此举凸显了 SK 海力士对长期技术进步的关注，而不是眼前产量的提高。SK 海力士于 2021 年开始将 EUV 应用于其 10 纳米级第四代 DRAM，目前在利川的 M16 工厂运营着 10 多台 EUV 机器。

　　展望未来，SK海力士未来技术研究所预计将重点准备推出下一代 EUV 光刻设备，即高数值孔径机器。SK海力士预计最早将于明年下半年收到其第一台高NA机器。这一战略转变凸显了 SK 海力士致力于保持技术领先地位并为半导体制造的未来进步做好准备。

　　NAND衰退期间，三星和SK海力士竭尽全力降本

　　三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND衰退期间奉行“降低成本”投资策略。据了解，该公司最近开始致力于大幅减少遗留NAND产量，同时将开工率较低的旧设施改造为最先进的设施。

　　据业内人士近日透露，三星电子和SK海力士要求主要合作伙伴在今年下半年对现有NAND设施进行改造。

　　近来，由于PC和智能手机等IT需求低迷，NAND市场价格呈下滑趋势。根据市场研究公司Trend Force的数据，用于存储卡和USB的通用NAND闪存产品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易价格为2.16美元，环比下降29.80%。

　　尤其是老款NAND，例如第7代，供应严重过剩。除了IT需求下降之外，日本Kiosia、中国厂商等后来者也加入了竞争。

　　第 7 代（V7）NAND 是存储存储器的单元堆叠成约 170 层的 NAND。NAND 性能随着堆叠更多单元而提高。三星电子和SK海力士将从2021年底开始量产第7代NAND。

　　相应地，国内存储器行业降低了7代NAND的开工率，并要求合作伙伴进行改造，将闲置的设施用作8代和9代NAND的设施。此外，还决定推迟或减少现有尖端NAND的新设施投资计划。

　　本文转载自微信公众号“ 半导体行业观察”；智通财经编辑：王秋佳。

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